AFT20P060-4NR3

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

18.9 dB

输出功率：

6.3 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 225 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

OM-780-4

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

2 GHz

系列：

AFT20P060_4N

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

频道模式：

增强

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

第 # 部分别名：

935311386528

单位重量：

0.108683 oz

Tags

AFT20P060-4N, AFT20P0, AFT20P, AFT20, AFT2, AFT