IPG20N04S409ATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TDSON-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

7.9 mOhms, 7.9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

28 nC, 28 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

54 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.27 mm

长度：

5.9 mm

系列：

OptiMOS-T2

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

5.15 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

10 ns, 10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3 ns, 3 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns, 15 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 12 ns

第 # 部分别名：

IPG20N04S4-09 IPG2N4S49XT SP000705570

Tags

IPG20N04S40, IPG20N04, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG