RV1C002UNT2CL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-0806-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

150 mA

Rds On - 漏源电阻：

2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

100 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

RV1C002UN

晶体管类型：

1 N-Channel MOSFET

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns

典型的开启延迟时间：

3 ns

第 # 部分别名：

RV1C002UN

Tags

RV1C002, RV1C0, RV1C, RV1