IXFK200N10P

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-264-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

200 A

Rds On - 漏源电阻：

7.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

235 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

830 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

高度：

26.59 mm

长度：

20.29 mm

系列：

IXFK200N10

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

极性 HiPerFET 功率 MOSFET

宽度：

5.31 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

60 S

秋季时间：

90 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

35 ns

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

150 ns

典型的开启延迟时间：

30 ns

单位重量：

0.352740 oz

Tags

IXFK20, IXFK2, IXFK, IXF