NTD4863NAT4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

11.3 A

Rds On - 漏源电阻：

9.3 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.95 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

2.38 mm

长度：

6.73 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

19.7 ns, 16.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

19.7 ns, 16.5 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13.5 ns, 20.2 ns

典型的开启延迟时间：

11.5 ns, 7 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD4863NA, NTD4863N, NTD4863, NTD486, NTD48, NTD4, NTD