3LN01M-TL-E

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

150 mA

Rds On - 漏源电阻：

2.9 Ohms

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

1.58 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

3LN01M

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

120 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

65 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

155 ns

典型的开启延迟时间：

19 ns

单位重量：

0.000176 oz

Tags

3LN01M-TL, 3LN01M-T, 3LN01M, 3LN01, 3LN0, 3LN