BSC109N10NS3 G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TDSON-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

63 A

Rds On - 漏源电阻：

10.9 mOhms

配置：

单身的

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.27 mm

长度：

5.9 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.15 mm

品牌：

英飞凌科技

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

BSC109N10NS3GATMA1 BSC19N1NS3GXT SP000778132

单位重量：

0.010582 oz

Tags

BSC109, BSC10, BSC1, BSC