D1213UK

产品属性

属性值

制造商：

TT电子

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

20 A

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

获得：

10 dB

输出功率：

6 W

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DBC1-8

配置：

单身的

高度：

3.25 mm

长度：

6.47 mm

工作频率：

500 MHz

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

8.43 mm

品牌：

Semelab / TT Electronics

Pd - 功耗：

58 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

0.5 V to 7 V

Tags

D1213, D121, D12