2N4400

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

40 V

集电极-基极电压 VCBO：

60 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

0.75 V

增益带宽积 fT：

200 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

2N4400

直流电流增益 hFE 最大值：

150 at 150 mA, 1 V

打包：

大部分

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

600 mA

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

20 at 500 mA, 2 V

Pd - 功耗：

625 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

2500

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N4400 PBFREE

Tags

2N4400, 2N440, 2N44, 2N4