FDMB2307NZ

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

MicroFET-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

18 A

Rds On - 漏源电阻：

16.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Qg - 门电荷：

28 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.2 W

配置：

双重的

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

0.75 mm

长度：

3 mm

系列：

FDMB2307NZ

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

2 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

17 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

34 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.000423 oz

Tags

FDMB2, FDMB, FDM