PSMN0R9-30ULDX

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

LFPAK56E-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

300 A

Rds On - 漏源电阻：

1.09 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

109 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

227 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

Nexperia

秋季时间：

42.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

49.8 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

63 ns

典型的开启延迟时间：

38.1 ns

Tags

PSMN0R9, PSMN0R, PSMN0, PSMN, PSM