SSM3K318R,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23F-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

2.5 A

Rds On - 漏源电阻：

107 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.8 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

7 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2.9 mm

系列：

SSM3K318

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

9.5 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

SSM3K318, SSM3K31, SSM3K3, SSM3K, SSM3, SSM