VS-ETF150Y65U

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 硅模块

配置：

半桥

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.72 V, 1.75 V

25 C 时的连续集电极电流：

142 A, 201 A

栅极-发射极漏电流：

600 nA

Pd - 功耗：

417 W, 600 W

包装/案例：

EMIPAK-2B

最高工作温度：

+ 175 C

品牌：

威世半导体

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

60

子类别：

IGBT

Tags

VS-ETF, VS-ET, VS-E