D2009UK

产品属性

属性值

制造商：

TT电子

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

2 A

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

10 dB

输出功率：

10 W

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

数据质量

配置：

双重的

工作频率：

1 GHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

Semelab / TT Electronics

Pd - 功耗：

58 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V to 7 V

Tags

D2009, D200, D20