IGW75N60H3

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-247-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

600 V

集电极-发射极饱和电压：

1.85 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

140 A

Pd - 功耗：

428 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 175 C

系列：

HighSpeed 3

打包：

管子

品牌：

英飞凌科技

栅极-发射极漏电流：

100 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

240

子类别：

IGBT

商品名：

战壕

第 # 部分别名：

IGW75N60H3FKSA1 IGW75N6H3XK SP000906804

单位重量：

0.211644 oz

Tags

IGW75N60H, IGW75N60, IGW7, IGW