NCV84160DR2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

41 V

Id - 连续漏极电流：

3.5 mA

Rds On - 漏源电阻：

160 mOhms

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.49 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

10 us

典型的开启延迟时间：

10 us

Tags

NCV841, NCV84, NCV8, NCV