SZNUD3112LT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

16 V

Id - 连续漏极电流：

500 mA

Rds On - 漏源电阻：

900 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

6 V

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

Pd - 功耗：

225 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NUD3112

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

36 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

61 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.000282 oz

Tags

SZNUD, SZNU, SZN