SSM6P35AFE,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

- 20 V

Id - 连续漏极电流：

- 250 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 0.3 V

Vgs - 栅源电压：

- 4.5 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

SSM6P35AFE

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

东芝

秋季时间：

145 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

42 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

420 ns

典型的开启延迟时间：

17 ns

Tags

SSM6P35A, SSM6P35, SSM6P3, SSM6P, SSM6, SSM