BF513,215

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

场效应管

技术：

硅

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Vgs - 栅源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

30 mA

最大漏栅电压：

20 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23

打包：

卷轴

配置：

单身的

高度：

1 mm

长度：

3 mm

产品：

射频结型场效应管

类型：

场效应管

宽度：

1.4 mm

品牌：

恩智浦半导体

栅源截止电压：

3 V

产品类别：

射频 JFET 晶体管

Rds On - 漏源电阻：

-

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

933505300215

单位重量：

0.000282 oz

Tags

BF513, BF51, BF5