IXFN360N15T2

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

310 A

Rds On - 漏源电阻：

4 mOhms

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

配置：

单身的

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

系列：

IXFN360N15

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

GigaMOS Trench T2 HiperFet

品牌：

IXYS

秋季时间：

265 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

170 ns

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN360, IXFN36, IXFN3, IXFN, IXF