TK2R9E10PL,S1X

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

240 A

Rds On - 漏源电阻：

2.4 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

83 nC, 161 nC

Pd - 功耗：

306 W

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

TK2R9E10PL

品牌：

东芝

秋季时间：

46 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

22 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

Tags

TK2