TPN1110ENH,L1Q

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSON-Advance-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

13 A

Rds On - 漏源电阻：

96 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

39 W

配置：

三倍

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

3.1 mm

系列：

TPN1110ENH

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.1 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

4.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.2 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

Tags

TPN111, TPN11, TPN1, TPN