TSM9926DCS RLG

产品属性

属性值

制造商：

台积电

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

6 A

Rds On - 漏源电阻：

21 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

4.86 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.6 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

产品：

整流器

晶体管类型：

双 N 通道

品牌：

台积电

正向跨导 - 最小值：

30 S

秋季时间：

5.35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9.95 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

21.85 ns

典型的开启延迟时间：

8.1 ns

Tags

TSM9926DCSR, TSM9926DC, TSM9926D, TSM992, TSM99, TSM9, TSM