MMBF2201NT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

300 mA

Rds On - 漏源电阻：

1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

1.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

2.1 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

MMBF2201N

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.24 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

450 mS

秋季时间：

0.8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2.5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns

典型的开启延迟时间：

2.5 ns

单位重量：

0.000219 oz

Tags

MMBF2201NT, MMBF2201N, MMBF2201, MMBF22, MMBF2, MMBF, MMB