IXFQ20N50P3

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3P-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

300 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

36 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

380 W

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

系列：

IXFQ20N50

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

11 S

秋季时间：

9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

43 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXFQ2, IXFQ, IXF