TN0110N3-G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

350 mA

Rds On - 漏源电阻：

3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

高度：

5.33 mm

长度：

5.21 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

场效应管

宽度：

4.19 mm

品牌：

微芯科技

正向跨导 - 最小值：

225 mS

秋季时间：

3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

6 ns

典型的开启延迟时间：

2 ns

单位重量：

0.016000 oz

Tags

TN0110N3-G, TN0110N3, TN0110N, TN011, TN01, TN0