PSMN6R3-120ESQ

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

120 V

Id - 连续漏极电流：

70 A

Rds On - 漏源电阻：

6.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

207.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

405 W

配置：

单身的

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

Nexperia

秋季时间：

67.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

58.2 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

142.1 ns

典型的开启延迟时间：

42.1 ns

单位重量：

0.084199 oz

Tags

PSMN6, PSMN, PSM