2N6551

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-202-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

60 V

集电极-基极电压 VCBO：

60 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

1 V

最大直流集电极电流：

2 A

增益带宽积 fT：

375 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

2N6551

直流电流增益 hFE 最大值：

300 at 50 mA, 1 V

打包：

大部分

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

1 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

25 at 500 mA, 1 V

Pd - 功耗：

10 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N6551 PBFREE

Tags

2N655, 2N65, 2N6