FDME410NZT

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UMLP-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

Rds On - 漏源电阻：

19 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

700 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

9.2 nC

Pd - 功耗：

1.4 W

配置：

单身的

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

0.55 mm

长度：

1.6 mm

系列：

FDME410NZT

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.6 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

35 S

秋季时间：

3.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.4 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

27 ns

典型的开启延迟时间：

7.3 ns

单位重量：

0.001058 oz

Tags

FDME, FDM