RP1E100XNTR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

9.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

11 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

15 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

45 ns

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

50 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

RP1E100XN

Tags

RP1E100, RP1E10, RP1E1, RP1E, RP1