IXTH76P10T

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

76 A

Rds On - 漏源电阻：

25 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

15 V

Qg - 门电荷：

197 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

298 W

频道模式：

增强

商品名：

沟槽P

打包：

管子

高度：

21.46 mm

长度：

16.26 mm

系列：

IXTH76P10

类型：

沟槽功率 MOSFET

宽度：

5.3 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

35 S

秋季时间：

20 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

40 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

52 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

单位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTH7, IXTH, IXT