IXFN70N120SK

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

68 A

Rds On - 漏源电阻：

25 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

161 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

-

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

IXYS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN70, IXFN7, IXFN, IXF