A2T18S166W12SR3

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

1.6 A

Vds - 漏源击穿电压：

- 5 V, 65 V

获得：

18.1 dB

输出功率：

38 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

法兰安装

包装/案例：

NI-780S-2L2L

打包：

卷轴

工作频率：

1805 MHz to 1995 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦半导体

通道数：

1 Channel

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.4 V

第 # 部分别名：

935363021128

Tags

A2T18S1, A2T18S, A2T18, A2T1, A2T