ATF-331M4-TR1

产品属性

属性值

制造商：

博通有限公司

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

pHEMT

技术：

砷化镓

获得：

15 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

5.5 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 5 V

Id - 连续漏极电流：

305 mA

最大漏栅电压：

- 5 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 160 C

Pd - 功耗：

400 mW

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

迷你PAK

打包：

卷轴

配置：

单双源

高度：

0.7 mm

长度：

1.44 mm

工作频率：

2 GHz

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs pHEMT

宽度：

1.2 mm

品牌：

博通/安华高

正向跨导 - 最小值：

440 mmho

NF - 噪声系数：

0.6 dB

P1dB - 压缩点：

19 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

Tags

ATF-331M4-T, ATF-331M, ATF-33, ATF-3, ATF