2N5333

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-39-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

80 V

集电极-基极电压 VCBO：

100 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

1 V

增益带宽积 fT：

30 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

系列：

2N5333

直流电流增益 hFE 最大值：

120

打包：

大部分

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

2 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

30

Pd - 功耗：

1 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N5333 PBFREE

Tags

2N533, 2N53, 2N5