FDMS3660AS

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Power-56-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

13 A

Rds On - 漏源电阻：

11 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V, 2 V

Vgs - 栅源电压：

12 V, 20 V

Qg - 门电荷：

21 nC, 64 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.2 W, 2.5 W

配置：

双重的

商品名：

功率级 PowerTrench

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

6 mm

系列：

FDMS3660AS

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

173 S, 240 S

秋季时间：

3 ns, 5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3 ns, 5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

21 ns, 38 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns, 12 ns

单位重量：

0.006032 oz

Tags

FDMS3660, FDMS366, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM