FF150R12MS4G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT 模块

产品：

IGBT 硅模块

配置：

双重的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

3.7 V

25 C 时的连续集电极电流：

225 A

栅极-发射极漏电流：

400 nA

Pd - 功耗：

1250 W

包装/案例：

经济型

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 125 C

打包：

托盘

高度：

17 mm

长度：

152 mm

宽度：

62 mm

品牌：

英飞凌科技

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

10

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

FF150R12MS4GBOSA1 SP000091944

Tags

FF150R12M, FF150R12, FF150R1, FF150R, FF150, FF15, FF1