NCV8402AMNWT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

42 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

165 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

14 V

Qg - 门电荷：

-

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

8.9 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NCV8402A

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

50 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

120 us

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

20 us

典型的开启延迟时间：

25 us

Tags

NCV8402A, NCV8402, NCV840, NCV84, NCV8, NCV