NVMS10P02R2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

5.4 A

Rds On - 漏源电阻：

33 mOhms

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.019048 oz

Tags

NVMS, NVM