ISP12DP06NMXTSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

- 60 V

Id - 连续漏极电流：

- 2.8 A

Rds On - 漏源电阻：

125 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

- 20.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

4.2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

ISP06P008

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

5.2 S

秋季时间：

7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

23 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

第 # 部分别名：

ISP12DP06NM SP004987268

Tags

ISP12, ISP1, isp