MCH3376-TL-W

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

185 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.4 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

1.7 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

MCH3376

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

1.14 S

秋季时间：

14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9.7 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

16 ns

典型的开启延迟时间：

5.3 ns

单位重量：

0.000176 oz

Tags

MCH3376, MCH337, MCH33, MCH3, MCH