IXFN52N90P

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

900 V

Id - 连续漏极电流：

43 A

Rds On - 漏源电阻：

160 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

132 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

890 W

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

系列：

IXFN52N90

类型：

极性功率MOSFET

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

35 S / 20 S

秋季时间：

42 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

80 ns

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

95 ns

典型的开启延迟时间：

63 ns

单位重量：

1.340411 oz

Tags

IXFN52, IXFN5, IXFN, IXF