UF3C065030B3

产品属性

属性值

制造商：

联合碳化硅

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

包装/案例：

D2PAK-3

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

65 A

Rds On - 漏源电阻：

27 mOhms

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

51 nC

最低工作温度：

- 25 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

242 W

打包：

管子

系列：

UF3C

品牌：

联合碳化硅

秋季时间：

15 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

16 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

57 ns

典型的开启延迟时间：

32 ns

Tags

UF3C06503, UF3C0, UF3C, UF3