IXTH86N25T

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

分立半导体模块

RoHS：

Y

产品：

功率 MOSFET 模块

类型：

沟门

Vgs - 栅源电压：

20 V

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

管子

配置：

单身的

品牌：

IXYS

晶体管极性：

N通道

秋季时间：

25 ns

Id - 连续漏极电流：

86 A

Pd - 功耗：

540 W

产品类别：

分立半导体模块

Rds On - 漏源电阻：

37 mOhms

上升时间：

28 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

分立半导体模块

商品名：

高功率场效应晶体管

典型关断延迟时间：

55 ns

典型的开启延迟时间：

22 ns

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Tags

IXTH8, IXTH, IXT