UMG3NTR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

双极晶体管 - 预偏置

RoHS：

Y

配置：

双公共发射器

晶体管极性：

NPN

典型输入电阻：

4.7 kOhms

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UMT-5

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

100

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

连续集电极电流：

100 mA

峰值直流集电极电流：

100 mA

Pd - 功耗：

100 mW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

UMG3N

打包：

卷轴

直流电流增益 hFE 最大值：

600

发射极基极电压 VEBO：

5 V

高度：

0.77 mm

长度：

2 mm

宽度：

1.7 mm

品牌：

罗姆半导体

产品类别：

BJT - 双极晶体管 - 预偏置

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

UMG3N

Tags

UMG3NTR, UMG3NT, UMG3N, UMG3, UMG