HUFA76419D3ST

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

31 mOhms

Vgs - 栅源电压：

16 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

75 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

2.39 mm

长度：

6.73 mm

系列：

HUFA76419D_F085

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

50 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

124 ns, 35 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

28 ns, 50 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 6.5 ns

第 # 部分别名：

HUFA76419D3ST_NL

单位重量：

0.009184 oz

Tags

HUFA76419D3, HUFA76419D, HUFA76419, HUFA7641, HUFA764, HUFA76, HUFA, HUF