DMN5L06DWK-7-01

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

50 V

Id - 连续漏极电流：

305 mA

Rds On - 漏源电阻：

2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

0.49 V

Vgs - 栅源电压：

5 V

Qg - 门电荷：

0.4 nC

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN5L06

晶体管类型：

2 N-Channel MOSFET

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

200 mS

秋季时间：

8.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14.4 ns

典型的开启延迟时间：

2.1 ns

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