NDS8435

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

Rds On - 漏源电阻：

28 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

49 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

18 ns

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

65 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

单位重量：

0.006596 oz

Tags

NDS8435, NDS843, NDS84, NDS8, NDS