A2T18S261W12NR3

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

3 A

Vds - 漏源击穿电压：

- 500 mV, 65 V

获得：

18.2 dB

输出功率：

56 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 125 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

OM-880X-2L2L

打包：

卷轴

工作频率：

1805 MHz to 1880 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

通道数：

1 Channel

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.4 V

第 # 部分别名：

935338749528

单位重量：

0.133886 oz

Tags

A2T18S2, A2T18S, A2T18, A2T1, A2T