FDG6332C-F085P

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SC-70-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

0.7 A, - 0.6 A

Rds On - 漏源电阻：

300 mOhms, 420 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

0.6 V, - 1.5 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

1.5 nC, 2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.3 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

2.8 S, 1.8 S

秋季时间：

1.5 ns, 1.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7 ns, 14 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

9 ns, 6 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns, 5.5 ns

Tags

FDG6332C-F, FDG6332, FDG633, FDG63, FDG6, FDG